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      N沟道增强型44A/1000V MOSFET

      作者:海飞乐技术 时间:2020-09-27 16:11

      N沟道增强型44A/1000V MOSFET 
        海飞乐技术44N100A47是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型高压MOSFET,它可以降低导通损耗,改善开关性能足球竞彩app哪个靠谱,提高雪崩能量足球竞彩app哪个靠谱。该晶体管可用于各种功率开关电路足球竞彩app哪个靠谱,使系统小型化,效率更高足球竞彩app哪个靠谱足球竞彩app哪个靠谱足球竞彩app哪个靠谱。包装形式为TO-247PLUS足球竞彩app哪个靠谱,符合RoHS标准。
       
      44N100A47
      快速开关
      低导通电阻
      低栅极电荷
      低反向传输电容
      100%单脉冲雪崩能量测试
       
      44N100A47应用:
      智能电表
      充电桩
      高频工业电源
       
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET绝对值参数
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET绝对值参数 
       
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET电参数
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET电参数 
       
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET特性曲线
      N沟道增强型44A/1000V MOSFET特性曲线 
       
       
        海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质足球竞彩app哪个靠谱、高效的产品,和国外产品相比足球竞彩app哪个靠谱,我司的该款产品具有高品质、货期短足球竞彩app哪个靠谱足球竞彩app哪个靠谱、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服足球竞彩app哪个靠谱,我们期待您的咨询与合作足球竞彩app哪个靠谱!




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