<tbody id="lqc9t"><pre id="lqc9t"></pre></tbody>

    <rp id="lqc9t"></rp>
      ?
      文章列表
      联系我们 产品咨询

      联系人:吴海丽
      电话:0755-2349 0212
      手机:157-1205-5037
      邮箱:tel-sherry@foxmail.com
      地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
      联系我们快恢复二极管报价选型

      ??>>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 行业动态 >

      英飞凌硬式整恢复二极管型号与性能

      作者:海飞乐技术 时间:2017-02-27 18:12

      英飞凌硬式整快速二极管型号
            英飞凌科技股份公司日前推出200V和250V OptiMOSTM FD,进一步完善了中压产品组合。作为针对体二极管硬式整流进行优化的最新一代功率MOSFET,这些器件更加可靠耐用,具有更低的过冲电压和更低的反向恢复损耗,有助于实现最可靠的系统,特别是在硬开关应用中,如通讯系统、工业电源、D类音频放大器、电机控制(适用于48–110V系统)和直流/交流逆变器等。
        提高可靠性,同时节省成本
        OptiMOS FD家族具备针对最高性能标准而优化的反向恢复电荷(Qrr)。相比标准的200V和250V OptiMOS,200V和250V OptiMOS FD的Qrr降低了40%。这意味着通过降低过冲电压大幅提升了系统可靠性,从而最大限度地减少了对缓冲电路的需求。
        英飞凌科技系统业务部门直流/直流业务高级主管Richard Kuncic表示:“英飞凌再一次突破了200V和250V电压级产品的极限。设立新的基准是我们不懈奋进的动力。OptiMOS FD家族秉承了我们充分利用开关性能的成功之道。这个最新一代功率MOSFET能为我们的客户节省工程设计费用,减轻设计工作量,特别是在硬开关应用中。”
        既简单又高效
        相比当前市场上现有的200V和250V产品,全新OptiMOS FD改善了硬换向耐用性,从而可以在更为苛刻的条件下使用,如更高dv/dt、di/dt和电流密度。这样一来,其使用非常简便,简化了设计流程。
        此外,相比于可替代的器件,OptiMOS FD的导通电阻(RDS(on))最多可降低45%,FOM(Qg x Rdson)最多可降低65%,从而可以实现最高的效率和功率密度。
        产品组合和供货情况
        OptiMOS FD 200V产品包括RDS(on)为11.7m?的D2PAK和RDS(on)为12m?的TO-220。OptiMOS FD 250V产品包括RDS(on)为22 m?的TO-220。
        两个电压等级和各种封装的样品均可提供。



      上一篇:英飞凌快恢复TO-220 FullPAK Wide Creepage封装
      下一篇:罗姆推出业界最小的快恢复二极管

      足球竞彩app哪个靠谱