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      IRFP064NPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-22 17:48

      IRFP064NPBF应用
        英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术,并以坚固耐用著称的HEXFET设计,具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率,使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
        对于更高功率要求的工业应用,TO-247比TO-220封装更加合适。他的隔离安装孔与之前的TO-218封装类似。TO-247与早期的TO-218封装相似,但由于其独立的安装孔而优于它。
       
      IRFP064NPBF特性
      先进工艺技术
      超低导通电阻
      动态dv/dt额定值
      175℃工作温度
      快速开关
      完全雪崩额定值
       
      IRFP064NPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      安装风格:Through Hole
      封装/箱体:TO-247-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:55V
      Id-连续漏极电流:110A
      Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
      Vgs -栅极-源极电压:-±20V
      Vgs th-栅源极阈值电压:1.8V
      Qg-栅极电荷:170nC
      工作温度范围:- 55℃~ 175℃
      Pd-功率耗散:200 W
      尺寸:20.7 mmx15.87 mmx5.31 mm
      工厂包装数量:400
      单位重量:5.600 g
       
      IRFP064NPBF电力特性

      IRFP064NPBF电力特性 
       
      IRFP064NPBF特性曲线图
      IRFP064NPBF特性曲线图 
       
       
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