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        IRFP064NPBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-22 17:48

        IRFP064NPBF应用
          英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术,并以坚固耐用著称的HEXFET设计,具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率,使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
          对于更高功率要求的工业应用,TO-247比TO-220封装更加合适。他的隔离安装孔与之前的TO-218封装类似。TO-247与早期的TO-218封装相似,但由于其独立的安装孔而优于它。
         
        IRFP064NPBF特性
        先进工艺技术
        超低导通电阻
        动态dv/dt额定值
        175℃工作温度
        快速开关
        完全雪崩额定值
         
        IRFP064NPBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:MOSFET
        安装风格:Through Hole
        封装/箱体:TO-247-3
        晶体管极性:N-Channel
        通道数量:1 Channel
        Vds-漏源极击穿电压:55V
        Id-连续漏极电流:110A
        Rds On-漏源导通电阻:8 mOhms
        Vgs -栅极-源极电压:-±20V
        Vgs th-栅源极阈值电压:1.8V
        Qg-栅极电荷:170nC
        工作温度范围:- 55℃~ 175℃
        Pd-功率耗散:200 W
        尺寸:20.7 mmx15.87 mmx5.31 mm
        工厂包装数量:400
        单位重量:5.600 g
         
        IRFP064NPBF电力特性

        IRFP064NPBF电力特性 
         
        IRFP064NPBF特性曲线图
        IRFP064NPBF特性曲线图 
         
         
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