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        IRFB38N20DPBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-23 16:26

          场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而双极结型晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

        IRFB38N20DPBF特性及应用
          IRFB38N20DPBF是38A 200V场效应管,封装为TO-220。产品具有低栅漏电荷可降低开关损耗,充分表征电容有效COSS简化设计及完全表征雪崩电压和电流。主要应用于高频DC-DC变换器,等离子显示屏等领域。
         
        IRFB38N20DPBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:MOSFET
        安装风格:Through Hole
        封装/箱体:TO-220-3
        晶体管极性:N-Channel
        通道数量:1 Channel
        Vds-漏源极击穿电压:200 V
        Id-连续漏极电流:44 A
        Rds On-漏源导通电阻:54 mOhms
        Vgs -栅极-源极电压:-±30 V
        Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
        Qg-栅极电荷:91 nC
        工作温度范围:- 55℃~175℃
        Pd-功率耗散:3.8 W
        尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
        正向跨导-最小值:17 S
        下降时间:47 ns
        上升时间:95 ns
        工厂包装数量:1000
        典型关闭延迟时间:29 ns
        典型接通延迟时间:16 ns
        单位重量:6 g
         
        IRFB38N20DPBF其他参数

        IRFB38N20DPBF其他参数 
         
        IRFB38N20DPBF特性曲线图
        IRFB38N20DPBF特性曲线图 
         
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