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      IRFB38N20DPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-23 16:26

        场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而双极结型晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。因此被称之为双极型器件。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

      IRFB38N20DPBF特性及应用
        IRFB38N20DPBF是38A 200V场效应管,封装为TO-220。产品具有低栅漏电荷可降低开关损耗,充分表征电容有效COSS简化设计及完全表征雪崩电压和电流。主要应用于高频DC-DC变换器,等离子显示屏等领域。
       
      IRFB38N20DPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      安装风格:Through Hole
      封装/箱体:TO-220-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:200 V
      Id-连续漏极电流:44 A
      Rds On-漏源导通电阻:54 mOhms
      Vgs -栅极-源极电压:-±30 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
      Qg-栅极电荷:91 nC
      工作温度范围:- 55℃~175℃
      Pd-功率耗散:3.8 W
      尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
      正向跨导-最小值:17 S
      下降时间:47 ns
      上升时间:95 ns
      工厂包装数量:1000
      典型关闭延迟时间:29 ns
      典型接通延迟时间:16 ns
      单位重量:6 g
       
      IRFB38N20DPBF其他参数

      IRFB38N20DPBF其他参数 
       
      IRFB38N20DPBF特性曲线图
      IRFB38N20DPBF特性曲线图 
       
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      IRFB38N20DPBF  PDF资料下载




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