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      IRFB4227PBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-23 16:36

      IRFB4227PBF应用
        IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET,专门为等离子体显示板中能量回收开关的应用而设计。这种MOSFET采用最新处理技术,以实现低导通电阻和低脉冲额定值。这种MOSFET的附加特性是175℃工作结温度和高重复峰值电流能力。这些特性结合在一起,使这种MOSFET成为一种高效、耐用和可靠的PDP驱动设备。
       
      IRFB4227PBF特性
      先进工艺技术
      优化的关键参数
      低导通栅极电荷,快速响应
      高重复峰值电流能力,可靠运行
      短下降和上升时间,快速切换
      175℃工作结温度,提高耐用性
      鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力
      D类音频放大器300W-500W(半桥)
       
      IRFB4227PBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      RoHS: 符合
      技术:Si
      安装风格:Through Hole
      封装/箱体:TO-220-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:200 V
      Id-连续漏极电流:65 A
      Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms
      Vgs -栅极-源极电压:±30 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
      Qg-栅极电荷:70 nC
      工作温度范围:- 40℃~+ 175℃
      Pd-功率耗散:330 W
      尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
      正向跨导-最小值:49 S
      下降时间:31 ns
      上升时间:20 ns
      典型关闭延迟时间:21 ns
      典型接通延迟时间:33 ns
      单位重量:6 g
       
      IRFB4227PBF电力特性

      IRFB4227PBF电力特性 
       
      IRFB4227PBF特性曲线图
      IRFB4227PBF特性曲线图 
       
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      IRFB4227PBF  PDF资料下载




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