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        IRFB4227PBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-23 16:36

        IRFB4227PBF应用
          IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET,专门为等离子体显示板中能量回收开关的应用而设计。这种MOSFET采用最新处理技术,以实现低导通电阻和低脉冲额定值。这种MOSFET的附加特性是175℃工作结温度和高重复峰值电流能力。这些特性结合在一起,使这种MOSFET成为一种高效、耐用和可靠的PDP驱动设备。
         
        IRFB4227PBF特性
        先进工艺技术
        优化的关键参数
        低导通栅极电荷,快速响应
        高重复峰值电流能力,可靠运行
        短下降和上升时间,快速切换
        175℃工作结温度,提高耐用性
        鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力
        D类音频放大器300W-500W(半桥)
         
        IRFB4227PBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:MOSFET
        RoHS: 符合
        技术:Si
        安装风格:Through Hole
        封装/箱体:TO-220-3
        晶体管极性:N-Channel
        通道数量:1 Channel
        Vds-漏源极击穿电压:200 V
        Id-连续漏极电流:65 A
        Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms
        Vgs -栅极-源极电压:±30 V
        Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
        Qg-栅极电荷:70 nC
        工作温度范围:- 40℃~+ 175℃
        Pd-功率耗散:330 W
        尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
        正向跨导-最小值:49 S
        下降时间:31 ns
        上升时间:20 ns
        典型关闭延迟时间:21 ns
        典型接通延迟时间:33 ns
        单位重量:6 g
         
        IRFB4227PBF电力特性

        IRFB4227PBF电力特性 
         
        IRFB4227PBF特性曲线图
        IRFB4227PBF特性曲线图 
         
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        IRFB4227PBF  PDF资料下载




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