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        IR2010STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-24 17:20

          IR2010是一款高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,用于最小驱动器交叉传导。传输延迟被匹配以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达200伏。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术加固单片结构。
         
        IR2010STRPBF特性
        为引导操作设计的浮动通道
        在200V下完全运行
        耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
        闸门驱动电源范围为10至20V
        两通道均具有欠压锁定
        3.3V逻辑兼容
        独立逻辑电源电压范围3.3V~20V
        逻辑和电源接地±5V偏移
        CMOS触发输入结构具有下拉功能
        关闭控制输入功能,可使两路驱动器全部关断
        两信道的匹配传播延迟
        输出与输入同相
         
        IR2010STRPBF应用
        转换器
        直流电机驱动
         
        IR2010STRPBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:门驱动器
        安装风格:SMD/SMT
        封装/箱体:SOIC-16
        激励器数量:2 Driver
        输出端数量:2 Output
        输出电流:3 A
        电源电压-最小:10 V
        电源电压-最大:20 V
        配置:Non-Inverting
        上升时间:20 ns
        下降时间:25 ns
        最大工作温度:+ 150 C
        尺寸:2.35 mmx10.5 mmx7.6 mm
        逻辑类型:CMOS, LSTTL
        传播延迟—最大值:135 ns
        关闭:Shutdown
        最大关闭延迟时间:65 ns
        最大开启延迟时间:95 ns
        工作电源电流:230 uA
        Pd-功率耗散:1.25 W
        单位重量:666 mg
         
        IR2010STRPBF静电特性

        IR2010STRPBF静电特性 
         
        IR2010STRPBF详细应用信息
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