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      IR2010STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-24 17:20

        IR2010是一款高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,用于最小驱动器交叉传导。传输延迟被匹配以简化高频应用中的使用。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达200伏。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术加固单片结构。
       
      IR2010STRPBF特性
      为引导操作设计的浮动通道
      在200V下完全运行
      耐受负瞬态电压,dV/dt免疫
      闸门驱动电源范围为10至20V
      两通道均具有欠压锁定
      3.3V逻辑兼容
      独立逻辑电源电压范围3.3V~20V
      逻辑和电源接地±5V偏移
      CMOS触发输入结构具有下拉功能
      关闭控制输入功能,可使两路驱动器全部关断
      两信道的匹配传播延迟
      输出与输入同相
       
      IR2010STRPBF应用
      转换器
      直流电机驱动
       
      IR2010STRPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:门驱动器
      安装风格:SMD/SMT
      封装/箱体:SOIC-16
      激励器数量:2 Driver
      输出端数量:2 Output
      输出电流:3 A
      电源电压-最小:10 V
      电源电压-最大:20 V
      配置:Non-Inverting
      上升时间:20 ns
      下降时间:25 ns
      最大工作温度:+ 150 C
      尺寸:2.35 mmx10.5 mmx7.6 mm
      逻辑类型:CMOS, LSTTL
      传播延迟—最大值:135 ns
      关闭:Shutdown
      最大关闭延迟时间:65 ns
      最大开启延迟时间:95 ns
      工作电源电流:230 uA
      Pd-功率耗散:1.25 W
      单位重量:666 mg
       
      IR2010STRPBF静电特性

      IR2010STRPBF静电特性 
       
      IR2010STRPBF详细应用信息
      IR2010STRPBF详细应用信息 
       
       
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