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      IR2103STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-25 14:14

        IR2013(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。
       
      IR2103STRPBF特性
      为引导操作设计的浮动通道
      工作电压高达600V
      耐受负瞬态电压
      dV/dt免疫
      栅极驱动电源范围10~20V
      欠压锁定
      3.3V、5V和15V逻辑兼容
      交叉传导预防逻辑
      相互匹配可控的延迟时间
      内部设定死区时间
      高压侧输出与HIN输入同相
      低电平输出与LIN输入异相
       
      IR2103STRPBF应用
      转换器
      直流电机驱动
       
      IR2103STRPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:门驱动器
      类型:High Side, Low Side
      安装风格:SMD/SMT
      封装/箱体:SOIC-8
      激励器数量:2 Driver
      输出端数量:2 Output
      输出电流:360 mA
      电源电压-最小:10 V
      电源电压-最大:20 V
      上升时间:170 ns
      下降时间:90 ns
      工作温度范围:- 40℃~+125℃
      尺寸:1.5mm×5mm×4mm
      逻辑类型:CMOS, TTL
      传播延迟-最大值:60 ns
      最大关闭延迟时间:220 ns
      最大开启延迟时间:820 ns
      Pd-功率耗散:625 mW
      产品类型:Gate Drivers
      单位重量:540 mg
       
      IR2103STRPBF静电特性

      IR2103STRPBF静电特性 
       
      IR2103STRPBF详细应用信息
      IR2103STRPBF详细应用信息 
       
       
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