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        IR2103STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-25 14:14

          IR2013(S)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立高、低压侧参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,用于最小驱动器交叉传导。浮动沟道可用于驱动高侧配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,其工作电压高达600V。
         
        IR2103STRPBF特性
        为引导操作设计的浮动通道
        工作电压高达600V
        耐受负瞬态电压
        dV/dt免疫
        栅极驱动电源范围10~20V
        欠压锁定
        3.3V、5V和15V逻辑兼容
        交叉传导预防逻辑
        相互匹配可控的延迟时间
        内部设定死区时间
        高压侧输出与HIN输入同相
        低电平输出与LIN输入异相
         
        IR2103STRPBF应用
        转换器
        直流电机驱动
         
        IR2103STRPBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:门驱动器
        类型:High Side, Low Side
        安装风格:SMD/SMT
        封装/箱体:SOIC-8
        激励器数量:2 Driver
        输出端数量:2 Output
        输出电流:360 mA
        电源电压-最小:10 V
        电源电压-最大:20 V
        上升时间:170 ns
        下降时间:90 ns
        工作温度范围:- 40℃~+125℃
        尺寸:1.5mm×5mm×4mm
        逻辑类型:CMOS, TTL
        传播延迟-最大值:60 ns
        最大关闭延迟时间:220 ns
        最大开启延迟时间:820 ns
        Pd-功率耗散:625 mW
        产品类型:Gate Drivers
        单位重量:540 mg
         
        IR2103STRPBF静电特性

        IR2103STRPBF静电特性 
         
        IR2103STRPBF详细应用信息
        IR2103STRPBF详细应用信息 
         
         
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