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        IRF6811STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-30 18:15

        IRF6811STRPBF应用
          IRF6811STRPBF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进DirectFETTM封装相结合,具有极低的导通电阻。封装外形为Micro8,尺寸仅为0.7mm。DirectFET封装与电力应用中使用的现有布局结构兼容。当应用于印刷电路板组装设备和气相,红外或对流焊接技术,是遵循注意事项AN-1035中的有关制造方法和工艺。
          IRF6811STRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低封装电感,显著降低了开关损耗。提高系统可靠性,使该器件成为高性能隔离DC-DC变换器的理想选择。为最新一代处理器提供更高频率的电源。
         
        IRF6811STRPBF特性
        符合RoHS
        超?。?lt;0.7 mm)
        双面冷却兼容
        超低封装电感
        高频开关优化
        CPU核心DC-DC转换器的理想选择
        控制FET应用的优化
        兼容现有的表面贴装技术
        100% RG测试
        与DirectFET兼容的封装外形
         
        IRF6811STRPBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:MOSFET
        安装风格:SMD/SMT
        封装/箱体:DirectFET-SQ
        晶体管极性:N-Channel
        通道数量:1 Channel
        Vds-漏源极击穿电压:25V
        Id-连续漏极电流:74 A
        Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms
        Vgs -栅极-源极电压:±16 V
        Qg-栅极电荷:11 nC
        Pd-功率耗散:32 W
        尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
        单位重量:215.558 mg
         
        IRF6811STRPBF其他参数

        IRF6811STRPBF其他参数 
         
        IRF6811STRPBF特性曲线图
        IRF6811STRPBF特性曲线图 
         
          IRF6811STRPBF深圳仓进口原装现货,更多相关产品信息及报价请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!
         
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