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      IRF6811STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-30 18:15

      IRF6811STRPBF应用
        IRF6811STRPBF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进DirectFETTM封装相结合,具有极低的导通电阻。封装外形为Micro8,尺寸仅为0.7mm。DirectFET封装与电力应用中使用的现有布局结构兼容。当应用于印刷电路板组装设备和气相,红外或对流焊接技术,是遵循注意事项AN-1035中的有关制造方法和工艺。
        IRF6811STRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低封装电感,显著降低了开关损耗。提高系统可靠性,使该器件成为高性能隔离DC-DC变换器的理想选择。为最新一代处理器提供更高频率的电源。
       
      IRF6811STRPBF特性
      符合RoHS
      超?。?lt;0.7 mm)
      双面冷却兼容
      超低封装电感
      高频开关优化
      CPU核心DC-DC转换器的理想选择
      控制FET应用的优化
      兼容现有的表面贴装技术
      100% RG测试
      与DirectFET兼容的封装外形
       
      IRF6811STRPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      安装风格:SMD/SMT
      封装/箱体:DirectFET-SQ
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:25V
      Id-连续漏极电流:74 A
      Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms
      Vgs -栅极-源极电压:±16 V
      Qg-栅极电荷:11 nC
      Pd-功率耗散:32 W
      尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
      单位重量:215.558 mg
       
      IRF6811STRPBF其他参数

      IRF6811STRPBF其他参数 
       
      IRF6811STRPBF特性曲线图
      IRF6811STRPBF特性曲线图 
       
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      IRF6811STRPBF  PDF资料下载




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