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        IRF4905PBF现货参数应用及PDF资料下载

        作者:海飞乐技术 时间:2020-12-31 10:45

        IRF4905PBF应用
          英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术,并以坚固耐用著称的HEXFET设计,具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率,使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
          TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,功耗水平约为50W。低热阻和低封装成本的TO-220有助于其在全世界的广泛接受工业。
         
        IRF4905PBF特性
        先进工艺技术
        超低导通电阻
        动态dv/dt额定值
        175℃工作温度
        快速开关
        P沟道MOSFET
        无铅
        完全雪崩额定值
         
        IRF4905PBF基本参数
        制造商:Infineon
        产品种类:MOSFET
        RoHS: 符合
        技术:Si
        安装风格:Through Hole
        封装/箱体:TO-220-3
        晶体管极性:P-Channel
        通道数量:1 Channel
        Vds-漏源极击穿电压:55 V
        Id-连续漏极电流:70 A
        Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms
        Vgs - 栅极-源极电压:-±20 V
        Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
        Qg-栅极电荷:180 nC
        工作温度范围:- 55℃~150℃
        Pd-功率耗散:170 W
        高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
        单位重量:6 g
         
        IRF4905PBF电力特性

        IRF4905PBF电力特性 
         
        IRF4905PBF特性曲线图
        IRF4905PBF特性曲线图 
         
         
          IRF4905PBF深圳仓进口原装现货,更多相关产品信息及报价请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!
         
        IRF4905PBF  PDF资料下载




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