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      IRF4905PBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2020-12-31 10:45

      IRF4905PBF应用
        英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术,并以坚固耐用著称的HEXFET设计,具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率,使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
        TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,功耗水平约为50W。低热阻和低封装成本的TO-220有助于其在全世界的广泛接受工业。
       
      IRF4905PBF特性
      先进工艺技术
      超低导通电阻
      动态dv/dt额定值
      175℃工作温度
      快速开关
      P沟道MOSFET
      无铅
      完全雪崩额定值
       
      IRF4905PBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      RoHS: 符合
      技术:Si
      安装风格:Through Hole
      封装/箱体:TO-220-3
      晶体管极性:P-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:55 V
      Id-连续漏极电流:70 A
      Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:-±20 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
      Qg-栅极电荷:180 nC
      工作温度范围:- 55℃~150℃
      Pd-功率耗散:170 W
      高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
      单位重量:6 g
       
      IRF4905PBF电力特性

      IRF4905PBF电力特性 
       
      IRF4905PBF特性曲线图
      IRF4905PBF特性曲线图 
       
       
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