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      IRFB31N20DPBF现货参数应用及PDF资料下载

      作者:海飞乐技术 时间:2021-01-14 17:09

        IRFB31N20DPBF场效应管,200V/31A,导通电阻0.082Ω,TO-220封装。低开关损耗,快速的开关转换速率。应用于高频DC-DC转换器。
       
      IRFB31N20DPBF应用
      高频DC-DC转换器
      无铅
       
      IRFB31N20DPBF特性
      低栅、漏极,减少开关损耗
      充分表征电容,包括有效COSS简化设计
      完全表征雪崩电压和电流
       
      IRFB31N20DPBF基本参数
      制造商:Infineon
      产品种类:MOSFET
      安装风格:Through Hole
      封装/箱体:TO-220-3
      晶体管极性:N-Channel
      通道数量:1 Channel
      Vds-漏源极击穿电压:200 V
      Id-连续漏极电流:31 A
      Rds On-漏源导通电阻:82 mOhms
      Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V
      Vgs th-栅源极阈值电压:5.5 V
      Qg-栅极电荷:70 nC
      工作温度范围:- 55℃~+ 175℃
      Pd-功率耗散:200 W
      尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
      正向跨导-最小值:17s
      下降时间:10 ns
      上升时间:38 ns
      典型关闭延迟时间:26 ns
      典型接通延迟时间:16 ns
      单位重量:6 g
       
      IRFB31N20DPBF其他参数

      IRFB31N20DPBF其他参数 
       
      IRFB31N20DPBF特性曲线图
      IRFB31N20DPBF特性曲线图 
       
       
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